赛普拉斯推出QDRIVSRAM用于下一代网络设备

静态随机存取存储器市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，量产业界首款四倍速(QDR®-IV)SRAM。赛普拉斯的QDR-IVSRAM有144和72-Megabit(Mbit)两种容量，可满足下一代交换机和路由器的100-400Gigabit线卡对随机传输速率的要求。赛普拉斯的QDR-IVSRAM是市场上性能最高的标准网络存储器解决方案。

本文引用地址：对于不断提升的线卡和交换速率来说，RTR(每秒完整随机存取次数)是存储器性能的重要指标。提升线卡速率的瓶颈在于查找表的处理、存储器中统计和状态计数的储存，以及排序功能。QDR-IV器件的RTR能支持这些功能，实现更高带宽和更高质量视频流的传输。

赛普拉斯存储产品事业部执行副总裁DanaNazarian说：“全球的网络流量持续快速增长，已经将网路架构推向极限。赛普拉斯新的QDR-IV解决方案催生了下一代高性能交换机和路由器，为满足这一网络流量的需求铺平了道路。作为SRAM市场的领导者，我们不断提高产品性能的标准，同时为客户提供满足各种标准的产品。”

业界对赛普拉斯QDR-IVSRAM的支持

Altera公司战略营销架构师ArgyKrikelis说：“QDR-IV存储器为需要400Gbps速率的新兴电信和数据中心网络应用提供了高带宽。Altera与赛普拉斯紧密配合，为客户提供系统架构的支持，同时使用赛普拉斯的QDR-IV和Altera的Arria10FPGAs及SoC来满足下一代系统要求。”

赛灵思公司FPGA产品管理与营销高级总监DaveMyron说：“Xilinx®的UltraScale™FPGA器件现已发货，其架构支持诸如赛普拉斯QDR-IVSRAM这样的高性能存储器，能为宽带应用提供所需的灵活性。赛灵思和赛普拉斯已经建立起长期的战略合作关系，加速产品的差异化设计，满足我们共同的客户对于下一代产品的需求。”

赛普拉斯的QDR-IVSRAM可以在两字节突发(burst-of-two)或分区式两字节突发(bankedburst-of-two)模式下工作，因而能在所有的QDRSRAM中拥有最快的时钟速率和最高的RTR。分区式两字节突发工作模式下的最高频率为1,066MHz，RTR可达每秒21.32亿次传输(2132MT/s)。而在标准的两字节突发工作模式下能达到的最高频率是667MHz，RTR则为1334MT/s。与以往的QDRSRAM所具有的450MHz频率和900MT/sRTR相比，这两种工作模式下的产品性能都有了显著改进。

QDR-IV由QDR联合体进行开发。该组织成员共同制定SRAM标准，以确保多个供应商保持供货的稳定性。

供货情况

144-MbitCY7C41xxKV和72-MbitCY7C40xxKVQDR-IVSRAM现已批量供货，封装方式为361焊球球栅阵列倒装芯片封装(FCBGA)。

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